Výrobca Číslo produktu:
MJD112-1G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
MJD112-1G-DG
Popis:
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Through Hole I-PAK
Inventár:
153 Ks Nové Originálne Na Sklade
12853107
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
MJD112-1G Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednoduché bipolárne tranzistory
Výrobca
onsemi
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
NPN - Darlington
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
2 A
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
100 V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Prúd - hranie kolektora (max.)
20µA
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Výkon - Max
1.75 W
Frekvencia - Prechod
25MHz
Prevádzková teplota
-65°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Balík zariadení dodávateľa
I-PAK
Základné číslo produktu
MJD112
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Iné mená
ONSONSMJD112-1G
MJD1121G
=MJD112
MJD112-1GOS
2156-MJD112-1G-OS
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
MJE182G
TRANS NPN 80V 3A TO126
KSC5402DTTU
TRANS NPN 450V 2A TO220-3
MMBTA55LT1G
TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
