Výrobca Číslo produktu:
MJE5731G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
MJE5731G-DG
Popis:
TRANS PNP 350V 1A TO220
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 350 V 1 A 10MHz 40 W Through Hole TO-220
Inventár:
375 Ks Nové Originálne Na Sklade
12853165
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
MJE5731G Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednoduché bipolárne tranzistory
Výrobca
onsemi
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
PNP
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
1 A
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
350 V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 1A
Prúd - hranie kolektora (max.)
1mA
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 300mA, 10V
Výkon - Max
40 W
Frekvencia - Prechod
10MHz
Prevádzková teplota
-65°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balenie / puzdro
TO-220-3
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Základné číslo produktu
MJE5731
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
MJE5731G-DG
MJE5731GOS
2832-MJE5731G
ONSMJE5731G
2156-MJE5731G-OS
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BC 846A E6433
TRANS NPN 65V 0.1A SOT-23
KST3904MTF
TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3
MJE181G
TRANS NPN 60V 3A TO126
