Výrobca Číslo produktu:
MMDF2C03HDR2
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
MMDF2C03HDR2-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 4.1A, 3A 2W Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
12841212
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
MMDF2C03HDR2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.1A, 3A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
70mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
16nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
630pF @ 24V
Výkon - Max
2W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Základné číslo produktu
MMDF2
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
MMDF2C03HDR2OSCT
MMDF2C03HDR2OSTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTMFD4C20NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
NTJD4105CT2
MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
NVMFD5875NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
