MUN5112DW1T1G
Výrobca Číslo produktu:

MUN5112DW1T1G

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

MUN5112DW1T1G-DG

Popis:

TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Inventár:

5576 Ks Nové Originálne Na Sklade
12853498
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

MUN5112DW1T1G Technické špecifikácie

Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
22kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
22kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA
Frekvencia - Prechod
-
Výkon - Max
250mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balík zariadení dodávateľa
SC-88/SC70-6/SOT-363
Základné číslo produktu
MUN5112

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
MUN5112DW1T1G-DG
Technické listy
MUN5112DW1T1G

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
2156-MUN5112DW1T1G-OS
ONSONSMUN5112DW1T1G
488-MUN5112DW1T1GDKR
MUN5112DW1T1G-DG
488-MUN5112DW1T1GTR
488-MUN5112DW1T1GCT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
onsemi

MUN5211DW1T1G

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88

onsemi

MUN5111DW1T1G

TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88

onsemi

MUN5237DW1T1

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

onsemi

MUN5211DW1T1

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363