Výrobca Číslo produktu:
NDC7001C
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NDC7001C-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 60V 0.51A SSOT6
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V 510mA, 340mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Inventár:
1152 Ks Nové Originálne Na Sklade
12860551
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NDC7001C Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
510mA, 340mA
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2Ohm @ 510mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
1.5nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
20pF @ 25V, 66pF @ 25V
Výkon - Max
700mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Balík zariadení dodávateľa
SuperSOT™-6
Základné číslo produktu
NDC7001
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
NDC7001CDKR
NDC7001CCT
NDC7001CTR
NDC7001CCT-NDR
NDC7001CTR-NDR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
VQ2001P
MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
FC6546010R
MOSFET 2N-CH 60V 0.1A SMINI6-F3
NTMFD4901NFT1G
MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
