Výrobca Číslo produktu:
NDF08N50ZG
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NDF08N50ZG-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 8.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventár:
12857556
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NDF08N50ZG Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
850mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1095 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
35W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220FP
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
NDF08
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
NDF08N50ZGOS
NDF08N50ZG-DG
ONSONSNDF08N50ZG
2156-NDF08N50ZG-ON
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
R5009ANX
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
R5009ANX-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.23
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
TK8A50D(STA4,Q,M)
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
43
ČÍSLO DIELU
TK8A50D(STA4,Q,M)-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.56
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NDF0610
MOSFET P-CH 60V 180MA TO92-3
NTD18N06L
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
NTMFS4935NT3G
MOSFET N-CH 30V 13A/93A 5DFN
