Výrobca Číslo produktu:
NDS352P
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NDS352P-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 850mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventár:
12857804
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NDS352P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
850mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
350mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
4 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
125 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
500mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23-3
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
NDS352
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
NDS352PTR-NDR
NDS352PTR
NDS352PCT
NDS352PCT-NDR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
NTR1P02LT3G
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
19457
ČÍSLO DIELU
NTR1P02LT3G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.06
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
NTR0202PLT1G
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
20463
ČÍSLO DIELU
NTR0202PLT1G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.08
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FDN352AP
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
12000
ČÍSLO DIELU
FDN352AP-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.13
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NDD02N40T4G
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
NVMFS5C426NWFT1G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
NVMFS5A140PLZWFT3G
MOSFET P-CH 40V 20A/140A 5DFN
