Výrobca Číslo produktu:
NDS8926
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NDS8926-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8SOIC
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 5.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
12857396
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NDS8926 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.5A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
30nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
760pF @ 10V
Výkon - Max
900mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Základné číslo produktu
NDS892
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
NDS8926TR
NDS8926CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTHD4401PT3G
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
NVMFD5C446NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 40V 25A/145A 8DFN
NTHD4401PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
