Výrobca Číslo produktu:
NDS9400A
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NDS9400A-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 3.4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
12846917
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NDS9400A Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.4A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
130mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.8V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
350 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
NDS940
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
NDS9400ADKR
NDS9400ACT
NDS9400ATR-NDR
NDS9400ACT-NDR
NDS9400ATR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FQD12P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252
FDMA86108LZ
MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
FDP8D5N10C
MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3
