Výrobca Číslo produktu:
NDS9957
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NDS9957-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V 2.6A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
12929923
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NDS9957 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.6A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
160mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
200pF @ 30V
Výkon - Max
900mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Základné číslo produktu
NDS995
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
NDS9957TR
NDS9957CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
ZXMN6A11DN8TA
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4519
ČÍSLO DIELU
ZXMN6A11DN8TA-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.27
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
CAB425M12XM3
SIC 2N-CH 1200V 450A
SP8K3FD5TB1
MOSFET 2N-CH 30V 8SOP
SP8J62TB1
MOSFET 2P-CH 30V 8SOP
