Výrobca Číslo produktu:
NSBA144WDXV6T1G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NSBA144WDXV6T1G-DG
Popis:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Inventár:
12842489
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NSBA144WDXV6T1G Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
47kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
22kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA
Frekvencia - Prechod
-
Výkon - Max
500mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-563, SOT-666
Balík zariadení dodávateľa
SOT-563
Základné číslo produktu
NSBA144
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RN2909FE(TE85L,F)
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4000
ČÍSLO DIELU
RN2909FE(TE85L,F)-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.04
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NUS2401SNT1G
TRANS PREBIAS 2NPN 1PNP 50V SC74
SMUN5311DW1T2G
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
DMG964060R
TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6