NSBC115EDXV6T1G
Výrobca Číslo produktu:

NSBC115EDXV6T1G

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

NSBC115EDXV6T1G-DG

Popis:

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563

Inventár:

4000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12839944
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

NSBC115EDXV6T1G Technické špecifikácie

Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
100kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
100kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA
Frekvencia - Prechod
-
Výkon - Max
500mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-563, SOT-666
Balík zariadení dodávateľa
SOT-563
Základné číslo produktu
NSBC115

Technické údaje a dokumenty

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
4,000
Iné mená
NSBC115EDXV6T1GOSCT
=NSBC115EDXV6T1GOSCT-DG
ONSONSNSBC115EDXV6T1G
NSBC115EDXV6T1GOSTR
NSBC115EDXV6T1GOSCT-DG
NSBC115EDXV6T1GOSTR-DG
488-NSBC115EDXV6T1GCT
488-NSBC115EDXV6T1GDKR
488-NSBC115EDXV6T1GTR
NSBC115EDXV6T1G-DG
2832-NSBC115EDXV6T1GTR
2156-NSBC115EDXV6T1G-OS

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
onsemi

SMUN5233DW1T1G

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88

onsemi

EMG2DXV5T1

TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553

onsemi

NSVBC114YDXV6T1G

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563

onsemi

NSVBA114EDXV6T1G

TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563-6