NSVMUN5312DW1T2G
Výrobca Číslo produktu:

NSVMUN5312DW1T2G

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

NSVMUN5312DW1T2G-DG

Popis:

TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Inventár:

3000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12856450
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

NSVMUN5312DW1T2G Technické špecifikácie

Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
22kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
22kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA
Frekvencia - Prechod
-
Výkon - Max
250mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balík zariadení dodávateľa
SC-88/SC70-6/SOT-363
Základné číslo produktu
NSVMUN5312

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
NSVMUN5312DW1T2G-DG
Technické listy
NSVMUN5312DW1T2G

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
NSVMUN5312DW1T2G-DG
2156-NSVMUN5312DW1T2G-488
NSVMUN5312DW1T2GOSDKR
NSVMUN5312DW1T2GOSTR
NSVMUN5312DW1T2GOSCT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
onsemi

NSVBA143ZDXV6T1G

TRANS 2PNP BIPO 60V SOT564

onsemi

NSBC123JDXV6T5

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

onsemi

NSBA124XDXV6T1

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

onsemi

SMUN5330DW1T1G

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363