Výrobca Číslo produktu:
NTB25P06T4G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTB25P06T4G-DG
Popis:
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 27.5A (Ta) 120W (Tj) Surface Mount D2PAK
Inventár:
12844720
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTB25P06T4G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
27.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
82mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±15V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1680 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
120W (Tj)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
D2PAK
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
NTB25
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
NTB25P06T4GOS
NTB25P06T4GOSTR
NTB25P06T4GOSCT
NTB25P06T4GOS-DG
ONSONSNTB25P06T4G
2156-NTB25P06T4G-OS
NTB25P06T4GOSDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF5210STRLPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7933
ČÍSLO DIELU
IRF5210STRLPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.26
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
RSJ250P10TL
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1434
ČÍSLO DIELU
RSJ250P10TL-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.21
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PCP1302-TD-H
MOSFET P-CH 60V 3A SOT89/PCP-1
AON2240
MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN
NTMFS5C410NLT1G
MOSFET N-CH 40V 46A/302A 5DFN
