Výrobca Číslo produktu:
NTB5605P
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTB5605P-DG
Popis:
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 18.5A (Ta) 88W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventár:
12921914
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTB5605P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
140mOhm @ 8.5A, 5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
22 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1190 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
88W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
D2PAK
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
NTB56
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SPB18P06PGATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2030
ČÍSLO DIELU
SPB18P06PGATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.44
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRF5210STRLPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7933
ČÍSLO DIELU
IRF5210STRLPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.26
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
RSJ250P10TL
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1434
ČÍSLO DIELU
RSJ250P10TL-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.21
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FQP27N25
MOSFET N-CH 250V 25.5A TO220-3
BSS138LT7G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FQA170N06
MOSFET N-CH 60V 170A TO3PN
