NTB90N02T4
Výrobca Číslo produktu:

NTB90N02T4

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

NTB90N02T4-DG

Popis:

MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 24 V 90A (Ta) 85W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventár:

12918413
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

NTB90N02T4 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
24 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
90A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5.8mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2120 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
85W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
D2PAK
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
NTB90

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
800
Iné mená
NTB90N02T4OSCT
2156-NTB90N02T4-ONTR
ONSONSNTB90N02T4
NTB90N02T4OSTR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SI7322ADN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK

vishay-siliconix

SI5441BDC-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8

vishay-siliconix

SI3457BDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP

vishay-siliconix

SQD100N03-3M4_GE3

MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA