NTBGS2D5N06C
Výrobca Číslo produktu:

NTBGS2D5N06C

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

NTBGS2D5N06C-DG

Popis:

POWER MOSFET, 60 V, 2.5 M?, 224
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 27A (Ta), 169A (Tc) 3.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventár:

796 Ks Nové Originálne Na Sklade
12954659
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

NTBGS2D5N06C Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Last Time Buy
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
27A (Ta), 169A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V, 12V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.5mOhm @ 35A, 12V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 175µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
45.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3510 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.7W (Ta), 136W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
800
Iné mená
488-NTBGS2D5N06CTR
488-NTBGS2D5N06CDKR
488-NTBGS2D5N06CCT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SUD50N02-04P-E3

MOSFET N-CH 20V 50A TO252

infineon-technologies

IQE013N04LM6ATMA1

MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K361TU,LXHF

AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT323

vishay-siliconix

SI7483ADP-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8