Výrobca Číslo produktu:
NTBS2D7N06M7
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTBS2D7N06M7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 110A (Tc) 176W (Tj) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
1208 Ks Nové Originálne Na Sklade
12841784
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTBS2D7N06M7 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
110A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6655 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
176W (Tj)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
NTBS2
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
NTBS2D7N06M7OSCT
NTBS2D7N06M7OSTR
NTBS2D7N06M7-DG
NTBS2D7N06M7OSDKR
2832-NTBS2D7N06M7TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTMFS5C628NLT3G
MOSFET N-CH 60V 5DFN
NVMFS5C670NLT1G
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
NDC631N
MOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6
