Výrobca Číslo produktu:
NTBS9D0N10MC
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTBS9D0N10MC-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 14A/60A TO263
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 14A (Ta), 60A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
1370 Ks Nové Originálne Na Sklade
12976029
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTBS9D0N10MC Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
14A (Ta), 60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
9mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 131µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1695 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
NTBS9
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
488-NTBS9D0N10MCTR
2832-NTBS9D0N10MC
488-NTBS9D0N10MCDKR
488-NTBS9D0N10MCCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK090Z65Z,S1F
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L
SIDR510EP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
SIDR570EP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
