Výrobca Číslo produktu:
NTD110N02RT4G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTD110N02RT4G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 24 V 12.5A (Ta), 110A (Tc) 1.5W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventár:
12848281
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTD110N02RT4G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
24 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12.5A (Ta), 110A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
28 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3440 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.5W (Ta), 110W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DPAK
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
NTD110
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
NTD110N02RT4GOSTR
NTD110N02RT4GOSDKR
2832-NTD110N02RT4GTR
NTD110N02RT4GOS-DG
NTD110N02RT4GOSCT
2156-NTD110N02RT4G-OS
NTD110N02RT4GOS
ONSONSNTD110N02RT4G
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STD17NF03LT4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3239
ČÍSLO DIELU
STD17NF03LT4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.34
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
CPH6350-TL-EX
MOSFET
FQH140N10
MOSFET N-CH 100V 140A TO247-3
AOI4126
MOSFET N-CH 100V 7.5A/43A TO251A
