NTD4809N-1G

Výrobca Číslo produktu:

NTD4809N-1G

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

NTD4809N-1G-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK

Podrobný popis:

N-Channel 30 V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 1.4W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventár:

Online RFQ

12858581

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

NTD4809N-1G Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

onsemi

Balenie

-

Seriál

-

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

30 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

9.6A (Ta), 58A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 11.5V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.5V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

13 nC @ 4.5 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1456 pF @ 12 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

1.4W (Ta), 52W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

I-PAK

Balenie / puzdro

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Základné číslo produktu

NTD48

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

75

Iné mená

ONSONSNTD4809N-1G

2156-NTD4809N-1G-ON

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

onsemi

NVMTS0D4N04CLTXG

MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW

renesas-electronics-america

2SK3484-AZ

MOSFET N-CH 100V 16A TO251

renesas-electronics-america

2SK3431-AZ

MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB

onsemi

NTMFS4983NFT3G

MOSFET N-CH 30V 22A/106A 5DFN