Výrobca Číslo produktu:
NTD4860N-1G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTD4860N-1G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 10.4A (Ta), 65A (Tc) 1.28W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventár:
12856780
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTD4860N-1G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10.4A (Ta), 65A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
16.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1308 pF @ 12 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.28W (Ta), 50W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
I-PAK
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
NTD48
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Iné mená
ONSONSNTD4860N-1G
2156-NTD4860N-1G-ON
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTLUS4930NTBG
MOSFET N-CH 30V 3.8A 6UDFN
NVMFS5C456NLAFT3G
MOSFET N-CH 40V 22A/87A 5DFN
NTMS7N03R2
MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC
