Výrobca Číslo produktu:
NTD6416ANLT4G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTD6416ANLT4G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 19A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventár:
7435 Ks Nové Originálne Na Sklade
12939707
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTD6416ANLT4G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
19A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
74mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1000 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
71W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DPAK
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
NTD6416
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
NTD6416ANLT4GOSTR
NTD6416ANLT4GOSCT
2156-NTD6416ANLT4G-OS
ONSONSNTD6416ANLT4G
NTD6416ANLT4G-DG
NTD6416ANLT4GOSDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF710PBF
MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
NTBLS002N08MC
MOSFET N-CH 80V 28A/238A 8HPSOF
NVMJS0D8N04CLTWG
MOSFET N-CH 40V 56A/368A 8LFPAK
