Výrobca Číslo produktu:
NTGS3433T1G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTGS3433T1G-DG
Popis:
MOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOP
Podrobný popis:
P-Channel 12 V 2.35A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Inventár:
12847167
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTGS3433T1G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
12 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.35A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
75mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
550 pF @ 5 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
500mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-TSOP
Balenie / puzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Základné číslo produktu
NTGS3433
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
NTGS3433T1GOSCT
NTGS3433T1GOS
NTGS3433T1GOSTR
NTGS3433T1GOSDKR
2156-NTGS3433T1G-OS
ONSONSNTGS3433T1G
NTGS3433T1GOS-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RAQ045P01TCR
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7835
ČÍSLO DIELU
RAQ045P01TCR-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.12
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
DMP2033UVT-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
DMP2033UVT-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.11
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDS6609A
MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC
FDP036N10A
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
CPH6350-P-TL-E
MOSFET P-CH 30V 6A CPH6
