Výrobca Číslo produktu:
NTGS4111PT1G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTGS4111PT1G-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 2.6A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Inventár:
36278 Ks Nové Originálne Na Sklade
12842211
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTGS4111PT1G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.6A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
60mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
750 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
630mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-TSOP
Balenie / puzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Základné číslo produktu
NTGS4111
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
2156-NTGS4111PT1G-OS
NTGS4111PT1GOSCT
ONSONSNTGS4111PT1G
NTGS4111PT1GOSDKR
NTGS4111PT1GOSTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTMSD3P102R2
MOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC
BSC882N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 34V 22A/100A TDSON
NTD4906N-35G
MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
