Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
NTH4L015N065SC1
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTH4L015N065SC1-DG
Popis:
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 142A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventár:
219 Ks Nové Originálne Na Sklade
12964153
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTH4L015N065SC1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
142A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
15V, 18V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
18mOhm @ 75A, 18V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.3V @ 25mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
283 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4790 pF @ 325 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
500W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247-4L
Balenie / puzdro
TO-247-4
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
NTH4L015N065SC1-DG
Technické listy
NTH4L015N065SC1
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
488-NTH4L015N065SC1DKR
488-NTH4L015N065SC1DKRINACTIVE
488-NTH4L015N065SC1TR
488-NTH4L015N065SC1CT-DG
488-NTH4L015N065SC1CT
488-NTH4L015N065SC1DKR-DG
488-NTH4L015N065SC1
488-NTH4L015N065SC1CTINACTIVE
488-NTH4L015N065SC1TR-DG
2156-NTH4L015N065SC1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NVBLS1D7N08H
MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
PJA3402-AU_R1_000A1
SOT-23, MOSFET
SQJQ144AER-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
NTPF125N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE