Výrobca Číslo produktu:
NTH4L040N120SC1
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTH4L040N120SC1-DG
Popis:
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 58A (Tc) 319W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventár:
234 Ks Nové Originálne Na Sklade
12938497
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTH4L040N120SC1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
58A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
20V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
56mOhm @ 35A, 20V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.3V @ 10mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
106 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+25V, -15V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1762 pF @ 800 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
319W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247-4L
Balenie / puzdro
TO-247-4
Základné číslo produktu
NTH4L040
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
488-NTH4L040N120SC1
2156-NTH4L040N120SC1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTMFS0D8N02P1ET1G
MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
IRFC120NB
MOSFET 100V 9.4A DIE
PMPB85ENEA115
N-CHANNEL POWER MOSFET
