Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
NTHD5903T1G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTHD5903T1G-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 2.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Inventár:
Online RFQ
12841859
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTHD5903T1G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 P-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.2A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
155mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
600mV @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
7.4nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
-
Výkon - Max
1.1W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SMD, Flat Lead
Balík zariadení dodávateľa
ChipFET™
Základné číslo produktu
NTHD59
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
NTHD5903T1G-DG
Technické listy
NTHD5903T1G
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
=NTHD5903T1GOSCT-DG
NTHD5903T1GOSCT
2156-NTHD5903T1G
NTHD5903T1GOS
2156-NTHD5903T1G-ONTR-DG
NTHD5903T1GOSTR
ONSONSNTHD5903T1G
NTHD5903T1GOS-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
MCH6603-TL-H
MOSFET 2P-CH 50V 0.14A 6MCPH
NVMFD5C668NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 15.5A/68A 8DFN
AUIRF7313Q
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
NTZD3155CT1H
MOSFET N/P-CH 20V SOT563