Výrobca Číslo produktu:
NTJD4105CT2G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTJD4105CT2G-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V, 8V 630mA, 775mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Inventár:
5990 Ks Nové Originálne Na Sklade
12847941
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTJD4105CT2G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V, 8V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
630mA, 775mA
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
3nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
46pF @ 20V
Výkon - Max
270mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balík zariadení dodávateľa
SC-88/SC70-6/SOT-363
Základné číslo produktu
NTJD4105
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
ONSONSNTJD4105CT2G
2156-NTJD4105CT2G-OS
NTJD4105CT2GOSTR
2832-NTJD4105CT2G
NTJD4105CT2G-DG
NTJD4105CT2GOSDKR
NTJD4105CT2GOSCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDMS7606
MOSFET 2N-CH 30V 11.5A/12A PWR56
AO8801L
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP
FW274-TL-E
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
