Výrobca Číslo produktu:
NTLJD4116NT1G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTLJD4116NT1G-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 2.5A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Inventár:
9844 Ks Nové Originálne Na Sklade
12844396
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTLJD4116NT1G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.5A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
70mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6.5nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
427pF @ 15V
Výkon - Max
710mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-WDFN Exposed Pad
Balík zariadení dodávateľa
6-WDFN (2x2)
Základné číslo produktu
NTLJD41
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
NTLJD4116NT1G-DG
488-NTLJD4116NT1GTR
ONSONSNTLJD4116NT1G
2156-NTLJD4116NT1G-OS
488-NTLJD4116NT1GCT
488-NTLJD4116NT1GDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AO4800
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
NTJD4105CT4G
MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
AON6884L
MOSFET 2N-CH 40V 34A 8DFN
