Výrobca Číslo produktu:
NTLUS3C18PZTBG
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTLUS3C18PZTBG-DG
Popis:
MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Podrobný popis:
P-Channel 12 V 4.4A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN (1.6x1.6)
Inventár:
12845087
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTLUS3C18PZTBG Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
12 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.4A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
24mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1570 pF @ 6 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
660mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-UDFN (1.6x1.6)
Balenie / puzdro
6-PowerUFDFN
Základné číslo produktu
NTLUS3
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
2832-NTLUS3C18PZTBGTR
2156-NTLUS3C18PZTBG-OS
ONSONSNTLUS3C18PZTBG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NVD5865NLT4G
MOSFET N-CH 60V 10A/46A DPAK
AOC2417
MOSFET P-CH 20V 3.5A 4ALPHADFN
AOTF12N65A
MOSFET N-CH 650V 12A TO220F
