Výrobca Číslo produktu:
NTMD2C02R2
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTMD2C02R2-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 20V 5.2A 8SOIC
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 5.2A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
12859846
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTMD2C02R2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.2A, 3.4A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
43mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1100pF @ 10V
Výkon - Max
2W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Základné číslo produktu
NTMD2C
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
NTMD2C02R2OS
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTTD1P02R2
MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MSOP
UP0497900L
MOSFET N/P-CH 50V/30V SSMINI-6P
NDS8852H
MOSFET N/P-CH 30V 4.3A 8SOIC
