Výrobca Číslo produktu:
NTMD2P01R2
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTMD2P01R2-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
Podrobný popis:
Mosfet Array 16V 2.3A 710mW Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
12859327
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTMD2P01R2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 P-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
16V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.3A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
750pF @ 16V
Výkon - Max
710mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Základné číslo produktu
NTMD2P
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
NTMD2P01R2OS
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTZD3154NT1H
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
NVMFD5489NLT3G
MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8DFN
NTZD3158PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
