Výrobca Číslo produktu:
NTMD4820NR2G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTMD4820NR2G-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 4.9A 750mW Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
12842602
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTMD4820NR2G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.9A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
20mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
7.7nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
940pF @ 15V
Výkon - Max
750mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Základné číslo produktu
NTMD4820
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
NTMD4820NR2G-DG
NTMD4820NR2GOSTR
2156-NTMD4820NR2G-OS
ONSONSNTMD4820NR2G
NTMD4820NR2GOSCT
NTMD4820NR2GOSDKR
2832-NTMD4820NR2GTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTLJD3181PZTAG
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
NDS9948
MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8SOIC
NTLJD3183CZTBG
MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
