Výrobca Číslo produktu:
NTMFS006N12MCT1G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTMFS006N12MCT1G-DG
Popis:
POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN
Podrobný popis:
N-Channel 120 V 15A (Ta), 93A (Tc) 2.7W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventár:
12989821
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTMFS006N12MCT1G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
120 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
15A (Ta), 93A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 260µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3365 pF @ 60 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.7W (Ta), 104W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN, 5 Leads
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,500
Iné mená
488-NTMFS006N12MCT1GTR
488-NTMFS006N12MCT1GDKR
488-NTMFS006N12MCT1GCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIHFPS40N50L-GE3
POWER MOSFET SUPER-247, 100 M @
TK19A50W,S5X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
RA1C030LDT5CL
NCH 20V 3.0A, SMM1006, SMM1006: