NTMFS008N12MCT1G
Výrobca Číslo produktu:

NTMFS008N12MCT1G

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

NTMFS008N12MCT1G-DG

Popis:

SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 12
Podrobný popis:
N-Channel 120 V 12A (Ta), 79A (Tc) 2.7W (Ta), 102W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Inventár:

710 Ks Nové Originálne Na Sklade
12964306
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

NTMFS008N12MCT1G Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
120 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Ta), 79A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 200µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2705 pF @ 60 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.7W (Ta), 102W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN, 5 Leads

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,500
Iné mená
488-NTMFS008N12MCT1GCT
488-NTMFS008N12MCT1GTR
488-NTMFS008N12MCT1GDKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
onsemi

NTH4L045N065SC1

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K7002KF,LXHF

SMOS NCH I: 0.4A, V: 60V, P: 270

vishay-siliconix

SQJA16EP-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

vishay-siliconix

SIR122LDP-T1-RE3

N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE