Výrobca Číslo produktu:
NTMFS4852NT1G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTMFS4852NT1G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 16A/155A 5DFN
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 16A (Ta), 155A (Tc) 900mW (Ta), 86.2W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventár:
343 Ks Nové Originálne Na Sklade
12839784
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTMFS4852NT1G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Cut Tape (CT)
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
16A (Ta), 155A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
71.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4970 pF @ 12 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
900mW (Ta), 86.2W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN, 5 Leads
Základné číslo produktu
NTMFS4852
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,500
Iné mená
NTMFS4852NT1GOSDKR
2156-NTMFS4852NT1G-OS
ONSONSNTMFS4852NT1G
NTMFS4852NT1GOSCT
2832-NTMFS4852NT1GTR
NTMFS4852NT1GOSTR
NTMFS4852NT1G-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDMC8360LET40
MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
FDA28N50
MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
FDS8876
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
