NTMFS4925NET1G

Výrobca Číslo produktu:

NTMFS4925NET1G

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

NTMFS4925NET1G-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 9.7A/48A 5DFN

Podrobný popis:

N-Channel 30 V 9.7A (Ta), 48A (Tc) 920mW (Ta), 23.2W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Inventár:

Online RFQ

12856111

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

NTMFS4925NET1G Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

onsemi

Balenie

-

Seriál

-

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

30 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

9.7A (Ta), 48A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

6mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.2V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

21.5 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1264 pF @ 15 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

920mW (Ta), 23.2W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Balenie / puzdro

8-PowerTDFN, 5 Leads

Základné číslo produktu

NTMFS4

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

NTMFS4925NET1G-DG

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

1,500

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

onsemi

NVTFS6H854NTAG

MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN

renesas-electronics-america

NP60N04VUK-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 60A TO252

panasonic

FJ3P02100L

MOSFET P-CH 20V 4.4A 3PMCP

onsemi

NDDL01N60Z-1G

MOSFET N-CH 600V 800MA IPAK