Výrobca Číslo produktu:
NTMFS4985NFT1G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTMFS4985NFT1G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 17.5A/65A 5DFN
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 17.5A (Ta), 65A (Tc) 1.63W (Ta), 22.73W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventár:
1258 Ks Nové Originálne Na Sklade
12844430
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTMFS4985NFT1G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Cut Tape (CT)
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
17.5A (Ta), 65A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.3V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
30.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2100 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.63W (Ta), 22.73W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN, 5 Leads
Základné číslo produktu
NTMFS4985
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,500
Iné mená
NTMFS4985NFT1G-DG
ONSONSNTMFS4985NFT1G
2156-NTMFS4985NFT1G-OS
NTMFS4985NFT1GOSDKR
NTMFS4985NFT1GOSTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
BSC034N03LSGATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
BSC034N03LSGATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.35
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2SK3046
MOSFET N-CH 500V 7A TO220D-A1
NVMFS6B25NLT3G
MOSFET N-CH 100V 8A/33A 5DFN
NVMFS5C677NLT1G
MOSFET N-CH 60V 11A/36A 5DFN
