Výrobca Číslo produktu:
NTMFS4C022NT1G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTMFS4C022NT1G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 30A (Ta), 136A (Tc) 3.1W (Ta), 64W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventár:
1490 Ks Nové Originálne Na Sklade
12848191
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTMFS4C022NT1G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
30A (Ta), 136A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
45.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3071 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.1W (Ta), 64W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN, 5 Leads
Základné číslo produktu
NTMFS4
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,500
Iné mená
488-NTMFS4C022NT1GCT
488-NTMFS4C022NT1GTR
NTMFS4C022NT1G-DG
488-NTMFS4C022NT1GDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
NTMFS4C822NAT3G
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5000
ČÍSLO DIELU
NTMFS4C822NAT3G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.54
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FQPF4N80
MOSFET N-CH 800V 2.2A TO220F
FQPF9N25CT
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F
FCH190N65F-F155
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
