NTMFS6H852NT1G
Výrobca Číslo produktu:

NTMFS6H852NT1G

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

NTMFS6H852NT1G-DG

Popis:

TRENCH 8 80V NFET
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 10A (Ta), 40A (Tc) 3.6W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Inventár:

12979198
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

NTMFS6H852NT1G Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Ta), 40A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
14.2mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 45µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
760 pF @ 40 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.6W (Ta), 54W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN, 5 Leads

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,500
Iné mená
488-NTMFS6H852NT1GTR
488-NTMFS6H852NT1GCT
488-NTMFS6H852NT1GDKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
diodes

DMP3097L-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

onsemi

NTTFS6H854NTAG

TRENCH 8 80V NFET

diodes

DMT10H009SK3-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R