NTMFSC4D2N10MC

Výrobca Číslo produktu:

NTMFSC4D2N10MC

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

NTMFSC4D2N10MC-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN

Podrobný popis:

N-Channel 100 V 29.6A (Ta), 116A (Tc) 7.9W (Ta), 122W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6.15)

Inventár:

2740 Ks Nové Originálne Na Sklade

12948205

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

NTMFSC4D2N10MC Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

onsemi

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

100 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

29.6A (Ta), 116A (Tc)

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

4.3mOhm @ 44A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

42 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

2856 pF @ 50 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

7.9W (Ta), 122W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

8-DFN (5x6.15)

Balenie / puzdro

8-PowerVDFN

Základné číslo produktu

NTMFSC4

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

NTMFSC4D2N10MC-DG

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

3,000

Iné mená

488-NTMFSC4D2N10MCTR

488-NTMFSC4D2N10MCDKR

488-NTMFSC4D2N10MCCT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

onsemi

NTMTSC002N10MCTXG

MOSFET N-CH 100V 45A/236A 8TDFNW

nxp-semiconductors

PMG85XP,115

NOW NEXPERIA PMG85XP - SMALL SIG

transphorm

TP65H480G4JSG-TR

GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN

stmicroelectronics

STD15N60DM6

MOSFET N-CH 600V 12A DPAK