Výrobca Číslo produktu:
NTMJS1D2N04CLTWG
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTMJS1D2N04CLTWG-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 41A/237A 8LFPAK
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 41A (Ta), 237A (Tc) 3.8W (Ta), 128W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
Inventár:
12845914
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTMJS1D2N04CLTWG Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
41A (Ta), 237A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 170µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5600 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.8W (Ta), 128W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-LFPAK
Balenie / puzdro
SOT-1205, 8-LFPAK56
Základné číslo produktu
NTMJS1
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
488-NTMJS1D2N04CLTWGTR
488-NTMJS1D2N04CLTWGDKR
488-NTMJS1D2N04CLTWGCT
NTMJS1D2N04CLTWG-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
NVMJS1D2N04CLTWG
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2990
ČÍSLO DIELU
NVMJS1D2N04CLTWG-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.81
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AOT9N50
MOSFET N-CH 500V 9A TO220
AOB12N65L
MOSFET N-CH 650V 12A TO263
AO4304
MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC
