Výrobca Číslo produktu:
NTMJS2D5N06CLTWG
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTMJS2D5N06CLTWG-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 3.9A/113A 8LFPAK
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 3.9A (Ta), 113A (Tc) 3.9W (Ta), 113A (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
Inventár:
12856806
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTMJS2D5N06CLTWG Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.9A (Ta), 113A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 135µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3600 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.9W (Ta), 113A (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-LFPAK
Balenie / puzdro
SOT-1205, 8-LFPAK56
Základné číslo produktu
NTMJS2
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
488-NTMJS2D5N06CLTWGDKR
NTMJS2D5N06CLTWG-DG
488-NTMJS2D5N06CLTWGCT
488-NTMJS2D5N06CLTWGTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTF6P02T3G
MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
NTE4153NT1G
MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
NTLGF3402PT2G
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6DFN
