Výrobca Číslo produktu:
NTMS4107NR2G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTMS4107NR2G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 11A (Ta) 930mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
12841335
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTMS4107NR2G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
45 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6000 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
930mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
NTMS41
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
ONSONSNTMS4107NR2G
2156-NTMS4107NR2G-ONTR
NTMS4107NR2G-DG
NTMS4107NR2GOSTR
NTMS4107NR2GOSCT
=NTMS4107NR2GOSCT-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF7832TRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
13071
ČÍSLO DIELU
IRF7832TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.57
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
SI4842BDY-T1-E3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2491
ČÍSLO DIELU
SI4842BDY-T1-E3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.97
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
MGSF1N02LT1G
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
NTB52N10T4G
MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK
SFT1431-W
MOSFET N-CH 35V 11A IPAK/TP
