Výrobca Číslo produktu:
NTMS5835NLR2G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTMS5835NLR2G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 9.2A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
12847909
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTMS5835NLR2G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9.2A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
10mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2115 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
NTMS58
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
2156-NTMS5835NLR2G-ONTR
NTMS5835NLR2GOSTR
ONSONSNTMS5835NLR2G
NTMS5835NLR2GOSCT
NTMS5835NLR2GOSDKR
NTMS5835NLR2G-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
AO4484
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
213599
ČÍSLO DIELU
AO4484-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.17
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
SQ4050EY-T1_GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4852
ČÍSLO DIELU
SQ4050EY-T1_GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.35
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDA33N25
MOSFET N-CH 250V 33A TO3PN
HUF76633S3ST
MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
FDA24N50F
MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN
