Výrobca Číslo produktu:
NTMTS1D2N08H
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTMTS1D2N08H-DG
Popis:
T8-80V IN PQFN88 FOR INDU
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 41A (Ta), 335A (Tc) 5W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
Inventár:
1329 Ks Nové Originálne Na Sklade
12857330
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTMTS1D2N08H Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
41A (Ta), 335A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 590µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
147 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
10100 pF @ 40 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
5W (Ta), 300W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-DFNW (8.3x8.4)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
NTMTS1D
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
488-NTMTS1D2N08HTR
488-NTMTS1D2N08HCT
NTMTS1D2N08H-DG
488-NTMTS1D2N08HDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTA4001NT1G
MOSFET N-CH 20V 238MA SC75
NTD4808NT4G
MOSFET N-CH 30V 10A/63A DPAK
SFP9Z34
MOSFET P-CH 60V 18A TO220-3
