Výrobca Číslo produktu:
NTMYS2D4N04CTWG
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTMYS2D4N04CTWG-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 30A/138A 4LFPAK
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 30A (Ta), 138A (Tc) 3.9W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Inventár:
2850 Ks Nové Originálne Na Sklade
12843421
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTMYS2D4N04CTWG Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
30A (Ta), 138A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 90µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2100 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.9W (Ta), 83W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
LFPAK4 (5x6)
Balenie / puzdro
SOT-1023, 4-LFPAK
Základné číslo produktu
NTMYS2
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
NTMYS2D4N04CTWG-DG
NTMYS2D4N04CTWGOSTR
NTMYS2D4N04CTWGOSCT
NTMYS2D4N04CTWGOSDKR
2832-NTMYS2D4N04CTWG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
NVMYS2D4N04CTWG
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3000
ČÍSLO DIELU
NVMYS2D4N04CTWG-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.54
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NVMFS5C404NLWFAFT1G
MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
NTR4502PT3
MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
NTF3055L175T3
MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
