Výrobca Číslo produktu:
NTMYS4D1N06CLTWG
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTMYS4D1N06CLTWG-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 22A/100A LFPAK4
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 22A (Ta), 100A (Tc) 3.7W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Inventár:
2995 Ks Nové Originálne Na Sklade
12842129
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTMYS4D1N06CLTWG Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
22A (Ta), 100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 80µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2200 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.7W (Ta), 79W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
LFPAK4 (5x6)
Balenie / puzdro
SOT-1023, 4-LFPAK
Základné číslo produktu
NTMYS4
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
488-NTMYS4D1N06CLTWGTR
488-NTMYS4D1N06CLTWGDKR
488-NTMYS4D1N06CLTWGCT
NTMYS4D1N06CLTWG-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
NVMYS4D1N06CLTWG
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3000
ČÍSLO DIELU
NVMYS4D1N06CLTWG-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.51
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NVD6820NLT4G-VF01
MOSFET N-CH 90V 10A/50A DPAK
NTLJS2103PTBG
MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
NVMFS4C05NWFT1G
MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN
