Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
DR Kongo
Argentína
Turecko
Rumunsko
Litva
Nórsko
Rakúsko
Angola
Slovensko
ltaly
Fínsko
Bielorusko
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Čierna Hora
Ruština
Belgicko
Švédsko
Srbsko
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Moldavsko
Nemecko
Holandsko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
Francúzsko
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Portugalsko
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Španielsko
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
NTP13N10G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTP13N10G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 13A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 13A (Ta) 64.7W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
Online RFQ
12856607
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTP13N10G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
13A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
165mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
550 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
64.7W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
NTP13N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
NTP13N10G-DG
Technické listy
NTP13N10G
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
NTP13N10GOS
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRL530PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
10171
ČÍSLO DIELU
IRL530PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.56
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTNS3A92PZT5G
MOSFET P-CH 20V SPCL XLLGA3
NTMFS4936NCT3G
MOSFET N-CH 30V 11.6A/79A 5DFN
NTD23N03RT4G
MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
NTD4809N-35G
MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK