Výrobca Číslo produktu:
NTP13N10G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTP13N10G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 13A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 13A (Ta) 64.7W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
12856607
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTP13N10G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
13A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
165mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
550 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
64.7W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
NTP13N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
NTP13N10GOS
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRL530PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
10171
ČÍSLO DIELU
IRL530PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.56
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTNS3A92PZT5G
MOSFET P-CH 20V SPCL XLLGA3
NTMFS4936NCT3G
MOSFET N-CH 30V 11.6A/79A 5DFN
NTD23N03RT4G
MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
